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ESDR0524P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Working Voltage
Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage
V RWM
V BR
I R
V C
I/O Pin to GND (Note 1)
I T = 1 mA, I/O Pin to GND
V RWM = 5 V, I/O Pin to GND
I PP = 1 A, I/O Pin to GND (8 x 20 m s pulse)
5.5
5.0
1.0
15
V
V
m A
V
Junction Capacitance
Junction Capacitance
C J
C J
V R = 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins
V R = 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins and GND
0.3
0.5
0.4
0.8
pF
pF
1. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V RWM ), which should be equal or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
http://onsemi.com
2
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